Многое о строительстве и ремонте
Вся информация о строительстве дома в 2017-м году (рус)
В грунтах, которые допускают глубокое заложение, можно устраивать фундаменты различного типа:
– монолитный;
Самыми лучшими материалами для основания являются монолитный бетон или железобетон, которые нужно уложить на гидроизоляционный слой для предотвращения капиллярного поднятия влаги. В качестве него могут служить жирная глина или пропитанный битумом щебень. После того как будет подготовлено основание, укладывают половое покрытие. Для этого подходят любые материалы – керамическая или бетонная плитка, цементно-песчаный раствор, половая доска и т. д. Что же касается перекрытия над подвалом, его можно выполнить как из железобетонных плит, так и из дерева. Железобетонные перекрытия следует предпочесть при влажных грунтах и недостаточной вентиляции. Если укладывается деревянное цокольное перекрытие, несущие балки над подвальным помещением должны остаться открытыми, а утеплитель при этом укладывают над ними. Если горизонт подпочвенных вод находится высоко, потребуется проведение сложных и достаточно затратных гидроизоляционных мероприятий. При отсутствии средств и возможностей подпольное помещение можно сделать мелкозаглубленным, обустроив полупроходное подполье высотой от 130 до 150 см. В этом случае пол укладывают на лаги, которые опираются на кирпичные столбики, возведенные на грунте. Затем достаточно изнутри утеплить цоколь, проложив по периметру минеральную вату. Кроме того, в качестве утеплителя можно использовать керамзит.
При наклонных стенках траншеи фундамент из бутового камня закладывают «под лопатку», для чего каждый ряд составляют из камней одинаковой высоты. Для наружных рядов подбирают крупные постелистые камни, перекладывая их раствором и образуя версты, или забутки. Между последними насыпают мелкие камни и заливают раствором. Ряды выкладывают с перевязкой швов. При глубине траншеи более 1 м или в случае широкого котлована целесообразно закладывать буто-бетонный фундамент, применяя опалубку из деревянных щитов (рис. 14).